EMD5DXV6T5G

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品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: EMD5DXV6T5G
商品编号: C896211
商品封装: SOT-553-5
包装方式: 编带
商品毛重: 0.01825克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	数字晶体管
	数量	1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置
	集射极击穿电压(Vceo)	50V
	集电极电流(Ic)	100mA
	耗散功率(Pd)	500mW
	晶体管类型	NPN+PNP
	直流电流增益(hFE)	80
	射基极击穿电压(Vebo)	-
	最小输入电压(VI(on))	-

商品概述

BRT（偏置电阻晶体管）包含一个单晶体管和由两个电阻组成的单片偏置网络，即一个基极串联电阻和一个基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT通过将这些分立元件集成到单个器件中，从而省去了它们。在EMD5DXV6系列中，两个互补的BRT器件封装在SOT - 563封装中，这对于电路板空间有限的低功耗表面贴装应用而言是理想选择。

商品特性

简化电路设计
减少电路板空间
减少元件数量
提供8 mm、7英寸卷带包装
无铅焊料镀层
这些器件为无铅产品，符合RoHS标准

数据手册PDF

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	属性	参数值
	最大输入电压(VI(off))	-
	输出电压(VO(on))	200mV
	输入电阻	-
	电阻比率	-
	工作温度	-
	集射极饱和电压(VCE(sat))	250mV
	特征频率(fT)	-
	集电极截止电流(Icbo)	100nA