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ESDL4151MX4T5G
双向ESD 15V截止 峰值浪涌电流：47.5A@8/20us
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- 描述
- ESDL4151旨在保护需要低电容的电压敏感元件，使其免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低电容、低泄漏和快速响应时间，使这些器件非常适合用于电路板空间有限的设计中的ESD保护。由于其电容较低，该器件非常适合用于USB 2等高频设计
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- ESDL4151MX4T5G
- 商品编号
- C896240
- 商品封装
- X3DFN-2(0.6x1)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036552克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 双向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 15V | |
| 钳位电压 | 26V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 47.5A@8/20us | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 击穿电压 | 15.5V | |
| 反向电流(Ir) | 1uA | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-5；IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 0.8pF |
商品概述
ESDL4151专为保护需要低电容的电压敏感元件免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响而设计。出色的钳位能力、低电容、低泄漏和快速响应时间，使其成为电路板空间有限的设计中静电放电保护的理想选择。由于其电容低，该器件非常适合用于USB 2.0/3.0高速应用等高频率设计。
商品特性
- 低电容 0.8 pF（典型值）
- 低钳位电压
- 小尺寸封装：1.00 mm x 0.60 mm
- 低封装高度：0.23 mm
- 耐受电压：15 V
- 符合以下IEC标准保护：IEC61000 - 4 - 2 4级：±30 kV接触放电；IEC61000 - 4 - 5（雷击）：53 V输入（8/20 μs）
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准
应用领域
- USB 2.0/3.0
- MHL 2.0
- eSATA