SZESD7410MXWT5G

ESD7410旨在保护需要超低电容的电压敏感元件，使其免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。它在不同电压下具有业界领先的电容线性度，非常适合射频（RF）应用。这种电容线性度，再加上极小的封装和低插入损耗，使该器件非常适用于无线手机和终端的天线线路应用。

• 超低电容：最大<1.0 pF
• 业界领先的电压电容线性度
• 插入损耗：1 GHz时为0.1 dB；3 GHz时为0.3 dB
• 低泄漏电流：<1 μA
• IEC61000 - 4 - 2（ESD）：4级 ±30 kV接触放电
• ISO 10605（ESD）330 pF/2 kΩ ±30 kV接触放电
• SZESD7410MXWT5G - 可焊侧翼封装，便于自动光学检测（AOI）
• SZ前缀适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC - Q101标准且可提供生产件批准程序（PPAP）文件
• 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），并符合RoHS标准

• 射频信号ESD保护
• 有源天线ESD保护
• 近场通信