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SZESD7462MXWT5G
超低电容微型封装ESD保护二极管
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- 描述
- 旨在保护需要超低电容的电压敏感组件免受ESD和瞬态电压事件的影响。它在电压范围内具有行业领先的电容线性度，非常适合RF应用。这种电容线性度与极小的封装和低插入损耗相结合，使其非常适合用于无线手机和终端的天线线路应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- SZESD7462MXWT5G
- 商品编号
- C896559
- 商品封装
- X-DFN-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 双向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 16V | |
| 钳位电压 | 47V | |
| 击穿电压 | 28V | |
| 反向电流(Ir) | 100nA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 通道数 | 单路 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-5 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 0.3pF |
商品概述
ESD7462旨在保护需要超低电容的电压敏感元件，使其免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。它在不同电压下具有行业领先的电容线性度，非常适合射频（RF）应用。这种电容线性度与极小的封装和低插入损耗相结合，使该器件非常适合用于无线手机和终端的天线线路应用。
商品特性
- 行业领先的电压电容线性度
- 超低电容：典型值0.3 pF
- 插入损耗：1 GHz时为0.05 dB；3 GHz时为0.10 dB
- 低泄漏电流：典型值<1 nA
- 符合以下IEC标准保护：IEC61000 - 4 - 2（ESD）：4级；IEC61000 - 4 - 4（EFT）：40 A - 5/50 ns；IEC61000 - 4 - 5（浪涌）：1 A（8/20 μs）
- 符合ISO 10605（ESD）保护标准
- SZESD7462MXWT5G - 可焊侧翼封装，便于进行最佳自动光学检测（AOI）
- 以SZ为前缀，适用于汽车及其他有独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC - Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），并符合RoHS标准
应用领域
- 射频信号ESD保护
- 射频开关、功率放大器（PA）和天线ESD保护
- 近场通信
- USB 2.0、USB 3.0
优惠活动
购买数量
(8000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个8000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交5单