SZESD7551MXWT5G

ESD7551旨在保护需要超低电容的电压敏感元件，使其免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低电容、低泄漏和快速响应时间，使这些器件非常适合在电路板空间有限的设计中用于ESD保护。由于其电容极低，该器件非常适合用于高频设计，如USB 2.0高速和天线线路应用。

• 超低电容（最大0.35 pF）
• 低钳位电压
• 耐受电压：3.3 V
• 低泄漏
• 响应时间 <1 ns
• 动态电阻 <1 Ω
• 符合以下标准的保护：IEC 61000 - 4 - 2（4级）和ISO 10605
• SZESD7551MXWT5G - 可焊侧翼封装，便于进行最佳自动光学检测（AOI）
• SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC - Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
• 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），并符合RoHS标准

• RF信号ESD保护
• RF开关、功率放大器（PA）和天线ESD保护
• 近场通信