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NTMFS08N004C实物图
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NTMFS08N004C

1个N沟道 耐压:80V 电流:126A

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NTMFS08N004C
商品编号
C894037
商品封装
PQFN-8(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.188克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)126A
导通电阻(RDS(on))-
耗散功率(Pd)125W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)50pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

这款N沟道中压MOSFET采用集成了屏蔽栅技术的先进PowerTrench工艺制造。该工艺经过优化,可将导通电阻降至最低,同时凭借同类最佳的软体二极管保持卓越的开关性能。

商品特性

  • 屏蔽栅MOSFET技术
  • 在VGS = 10 V、ID = 44 A时,最大rDS(on) = 4.0 mΩ
  • 在VGS = 6 V、ID = 22 A时,最大rDS(on) = 12.5 mΩ
  • 反向恢复电荷(Qrr)比其他MOSFET供应商低50%
  • 降低开关噪声/电磁干扰(EMI)
  • MSL1坚固封装设计
  • 100%进行了非钳位感性负载(UIL)测试
  • 这些器件无铅且符合RoHS标准

应用领域

  • 主直流-直流(DC-DC)MOSFET
  • 直流-直流(DC-DC)和交流-直流(AC-DC)中的同步整流器
  • 电机驱动
  • 太阳能

数据手册PDF