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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 3A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 12.5W | |
| 直流电流增益(hFE) | 100 | |
| 特征频率(fT) | 100MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 100uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 400mV | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 数量 | 1个NPN | |
| 配置 | 独立式 |
商品概述
该器件是采用平面技术制造的NPN晶体管，可产生坚固耐用的高性能器件。其互补PNP类型为2SB772。
商品特性
- 大电流
- 低饱和电压
- 与2SB772互补
应用领域
- 电压调节
- 继电器驱动器
- 通用开关
- 音频功率放大器
- DC-DC转换器