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HSCB2012
1个N沟道 耐压:20V 电流:12A
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- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSCB2012
- 商品编号
- C845599
- 商品封装
- DFN-6L(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.023克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V,12A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 960pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF@10V |
商品概述
HSCB2012是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。 HSCB2012符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的Cdv/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术