温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HSSN3139
1个P沟道 耐压:20V 电流:500mA
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- HSSN3139 是高单元密度沟槽型 P 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSSN3139 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSSN3139
- 商品编号
- C845585
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 630mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
商品概述
HSSN3139是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。 HSSN3139符合RoHS标准和绿色产品要求,并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
-超低栅极电荷-低阈值-高端开关-先进的高单元密度沟槽技术