温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HSW8810
2个N沟道 耐压:20V 电流:6A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- HSW8810 是具有强大静电放电（ESD）保护功能的低导通电阻（RDSON）沟槽型 N 沟道 MOSFET。该产品适用于锂离子电池组应用。HSW8810 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，且通过了全面的功能可靠性认证
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSW8810
- 商品编号
- C845594
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.045克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@4.5V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 630pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 63pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 66pF |
商品概述
HSW8810是具有强大静电放电（ESD）保护功能的低导通电阻（RDSON）沟槽型N沟道MOSFET。该产品适用于锂离子电池组应用。 HSW8810符合RoHS标准和绿色产品要求，且通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 静电放电（ESD）保护
- 出色的Cdv/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术