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HSS1N20
1个N沟道 耐压:200V 电流:1A
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- 描述
- HSS1N20是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。HSS1N20符合RoHS标准和绿色产品要求，且经过全面的功能可靠性验证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSS1N20
- 商品编号
- C845589
- 商品封装
- SOT-23L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.9Ω@10V,1A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 710mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 145pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF@25V |
优惠活动
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