温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HSSN3134
1个N沟道 耐压:20V 电流:1A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- HSSN3134是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，能为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。HSSN3134符合RoHS标准和绿色产品要求，且已通过全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSSN3134
- 商品编号
- C845586
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@4.5V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 92pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
HSSN3134是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。HSSN3134符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 快速开关速度
- 超低栅极电荷
- 高端开关
- 低阈值
- 静电放电（ESD）保护高达2KV