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CJ8820
1个N沟道 耐压:20V 电流:7A
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- 描述
- N沟道,20V,7A，导通电阻低(比CJ8810低)21mΩ@10V，门极电压1.8V也可驱动
- 品牌名称
- CJ(江苏长电/长晶)
- 商品型号
- CJ8820
- 商品编号
- C89270
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 650pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - |
N沟道MOSFET。VDS最大值=20V，ID最大值=7A。有ESD保护电路。
特点：采用先进沟槽技术，低导通电阻（21mΩ@10V）、低Qg值（8nC）、低Ciss值（650pF）。
其余参数如下图所示。
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 10 个)个
起订量：10 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交26单