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CJM1216
1个P沟道 耐压:12V 电流:16A
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- 描述
- P沟道,-12V,-16A,21mΩ@-4.5V
- 品牌名称
- CJ(江苏长电/长晶)
- 商品型号
- CJM1216
- 商品编号
- C89271
- 商品封装
- DFN-6L(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.048克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 2.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 590pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CJM1216采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(on)）、低栅极电荷，并能在低栅极电压下工作。该器件适用于负载开关应用及其他各种应用。
商品特性
~~- 先进的沟槽MOSFET工艺技术-超低导通电阻与低栅极电荷
应用领域
- PWM应用-负载开关-手机电池充电