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CJU80N03
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
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- 描述
- N沟道，30V/80A, 6.5毫欧。
- 品牌名称
- CJ(江苏长电/长晶)
- 商品型号
- CJU80N03
- 商品编号
- C91688
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.516克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 51nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 230pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CJU80N03采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻RDS(ON)
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高单脉冲雪崩能量,稳定性和一致性良好
应用领域
-电源开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源