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IRF9310TRPBF-TP
耐压:30V 电流:16A
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- 描述
- 特性：RDS(ON)≤5.2mΩ@VGS=10V。 RDS(ON)≤9.5mΩ@VGS=4V。 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)。 出色的导通电阻和最大直流电流能力。应用：笔记本电脑电源管理。 便携式设备
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- IRF9310TRPBF-TP
- 商品编号
- C7603294
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.191067克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 146nC | |
| 输入电容(Ciss) | 6.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 327pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 950pF |
商品概述
MLS60R150W是采用先进超结技术制造的硅N沟道增强型MOSFET，可降低导通损耗，提升开关性能。该晶体管适用于开关电源、高速开关和通用应用。
商品特性
- 在VGS = -10V时,RDS(ON) ≤ 5.2mΩ
- 在VGS = -4V时,RDS(ON) ≤ 9.5mΩ
- 超高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
应用领域
- 笔记本电脑电源管理
- 便携式设备
- 电池供电系统
- DC/DC转换器
- 负载开关
- LCD显示器逆变器