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FQD7N20LTM-TP实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FQD7N20LTM-TP

耐压:200V 电流:5.5A

描述
特性:应用于电源开关应用、硬开关和高频电路、不间断电源。 VDS = 200V,ID = 5.5A。 RDS(ON) < 580mΩ @ VGS = 10V (Typ: 500mΩ)。应用:电源开关应用。 硬开关和高频电路
商品型号
FQD7N20LTM-TP
商品编号
C7603330
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.638365克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)5.5A
导通电阻(RDS(on))580mΩ@10V,1A
耗散功率(Pd)30W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)12nC@100V
输入电容(Ciss)580pF@25V
反向传输电容(Crss)3pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)90pF

商品特性

  • VDS = 20V,VGS = 4.5V、ID = 5.0A 时,RDS(ON) = 40mΩ
  • VDS = 20V,VGS = 2.5V、ID = 4.0A 时,RDS(ON) = 60mΩ
  • VDS = 20V,VGS = 1.8V、ID = 1.0A 时,RDS(ON) = 75mΩ
  • 静电敏感器件

应用领域

  • 笔记本电脑电源管理
  • 便携式设备
  • 电池供电系统
  • 负载开关
  • 数码相机

数据手册PDF