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NDS7002A
耐压:60V 电流:0.3A
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- 描述
- 特性：VDS = 60V，ID = 0.3A。 RDS(ON) < 2.5Ω，@VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 2.2Ω，@VGS = 10V。 ESD 等级：HBM 2000V。应用：直接逻辑电平接口：TTL/CMOS。 驱动器：继电器、螺线管、灯、锤子、显示器、存储器、晶体管等
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- NDS7002A
- 商品编号
- C7603342
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031787克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 27pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 18pF |
商品概述
这款 N 沟道逻辑电平 MOSFET 采用集成了屏蔽栅技术的先进工艺制造。该工艺针对导通电阻进行了优化，同时保持了卓越的开关性能。
商品特性
- 人体模型（HBM）静电放电保护等级典型值 >6 kV
- 高性能沟槽技术，实现极低的 RDS(ON)
- VDS(V) = 100 V
- ID = 4.2 A（VGS = 10 V）
- RDS(ON) < 104 mΩ（VGS = 10 V）
- RDS(ON) < 156 mΩ（VGS = 4.5 V）
- 屏蔽栅 MOSFET 技术
- 在广泛使用的表面贴装封装中具备高功率和电流处理能力
应用领域
- 直接逻辑电平接口:TTL/CMOS
- 驱动器:继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等
- 电池供电系统
- 固态继电器