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AON6407
耐压:30V 电流:100A
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- 描述
- 特性：VDS = -30V，ID = -100A。 RDS(ON) < 4.1mΩ @ VGS = -10V。 RDS(ON) < 6.6mΩ @ VGS = -4.5V。 先进的沟槽技术。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 无铅。应用：PWM应用。 负载开关
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- AON6407
- 商品编号
- C7603355
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16852克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 57W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 125nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.18nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 650pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 945pF |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -30V,漏极电流(ID) = -100A
- 栅源电压(VGS) = -10V时,导通电阻(RDS(ON)) < 4.1mΩ
- 栅源电压(VGS) = -4.5V时,导通电阻(RDS(ON)) < 6.6mΩ
- 先进沟槽技术
- 出色的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷
- 无铅
应用领域
- 脉冲宽度调制(PWM)应用
- 负载开关
- 电源管理