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FQT4N20LTF-TP实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FQT4N20LTF-TP

耐压:200V 电流:1A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性:VDS = 200V。 ID = 1.0A @VGS=10V。 RDS(ON) ≤ 1.35Ω @VGS=10V。 SOT-223封装。应用:电源。 功率因数校正(PFC)
商品型号
FQT4N20LTF-TP
商品编号
C7603337
商品封装
SOT-223​
包装方式
编带
商品毛重
0.740526克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)1A
导通电阻(RDS(on))1.35Ω@10V,0.425A
耗散功率(Pd)2.1W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)3.2nC@5V
输入电容(Ciss)148pF
反向传输电容(Crss)11.3pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 漏源电压(VDS) = 200V
  • 当栅源电压(VGS) = 10V 时,漏极电流(ID) = 1.0A
  • 当栅源电压(VGS) = 10V 时,导通电阻(RDS(ON)) ≤ 1.35Ω
  • SOT - 223 封装

应用领域

  • 电源
  • 功率因数校正(PFC)
  • LED 电视

数据手册PDF