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TPM2006NHK3
耐压:200V 电流:6A
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- 描述
- 特性：VDS = 200V。 ID = 6.0A。 RDS(ON) ≤ 0.65Ω @VGS = 10V。应用：负载/电源开关。 接口开关
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPM2006NHK3
- 商品编号
- C7603331
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5889克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 650mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 38.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 182pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 46.9pF |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 200V
- 漏极电流(ID) = 6.0A
- 当栅源电压(VGS) = 10V时,导通电阻(RDS(ON)) ≤ 0.65Ω
应用领域
- 负载/电源开关
- 接口开关
- 超小型便携式电子设备的电池管理
- 逻辑电平转换