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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TPM2007NK3

耐压:200V 电流:5.5A

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描述
特性:应用于功率开关应用。 应用于硬开关和高频电路。 应用于不间断电源。 VDS = 200V,ID = 5.5A。 RDS(ON) < 580mΩ @ VGS = 10V (典型值: 500mΩ)。应用:功率开关应用。 硬开关和高频电路
商品型号
TPM2007NK3
商品编号
C7603328
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
1.154667克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)5.5A
导通电阻(RDS(on))580mΩ@10V
耗散功率(Pd)30W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.7V
栅极电荷量(Qg)12nC@100V
输入电容(Ciss)580pF
反向传输电容(Crss)3pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)90pF

商品特性

  • 漏源电压(VDS) = 200V,漏极电流(ID) = 5.5A
  • 栅源电压(VGS) = 10V 时,导通电阻(RDS(ON)) < 580mΩ(典型值:500mΩ)

应用领域

  • 电源开关应用
  • 硬开关和高频电路
  • 不间断电源

数据手册PDF