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30N06F
1个N沟道 耐压:60V 电流:30A
- 描述
- 特性：100% EAS保证。 有绿色环保器件。 超低栅极电荷。 出色的CdV/dt效应衰减。 先进的高单元密度沟槽技术。应用：PWM应用。 电源管理功能
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 30N06F
- 商品编号
- C7543821
- 商品封装
- PDFN-8-EP(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16588克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.378nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 64pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 86pF |
商品概述
HSP60N06 是高单元密度的沟槽型 N 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSP60N06 符合 RoHS 和绿色产品要求，100%经过 EAS 测试，具备完整的功能可靠性认证。
商品特性
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的 CdV/dt 效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术