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S4866D
2个N沟道 耐压:40V 电流:33A
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- 描述
- 绿色器件；超低栅极电荷；先进的沟槽MOS技术
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- S4866D
- 商品编号
- C7543829
- 商品封装
- PDFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.10942克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 33A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 31.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 376pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 240pF |
商品概述
HSH80N20是高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSH80N20符合RoHS和绿色产品要求，100%经过EAS测试，具备完整的功能可靠性认证。 电源开关应用
- 提供绿色环保器件 出色的Cdv/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术