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S4896D
2个N沟道 耐压:40V 电流:40A
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- 描述
- 特性：分裂栅沟槽MOSFET技术。 出色的散热封装。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用：DC-DC转换器。 电源管理功能
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- S4896D
- 商品编号
- C7543831
- 商品封装
- PDFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.11284克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.2mΩ@10V；10mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 43.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 690pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 38pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 193pF |
商品特性
- 提供绿色环保器件
- 出色的CdV/dt效应抑制能力
- 超低栅极电荷
- 先进的沟槽MOS技术
应用领域
- 同步降压转换器应用