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4882
2个N沟道 耐压:40V 电流:8A
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- 描述
- 4882是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。4882符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过EAS测试，具备全面的功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 4882
- 商品编号
- C7543833
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1899克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 2.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 633pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 58pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 67pF |
商品概述
4884 是高单元密度沟槽型 N 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 4884 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100% 经过 EAS 测试保证，具备完整功能可靠性认证。
商品特性
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的 CdV/dt 效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 100% EAS 保证