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50N04
1个N沟道 耐压:40V 电流:45A
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- 描述
- Tphtei o50N04是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。50N04符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过雪崩耐量（EAS）测试，具备完整的可靠性认证。
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 50N04
- 商品编号
- C7543827
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46332克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22.9nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 表面贴装封装
- 采用高密度单元设计，实现极低的导通电阻RDS(ON)
- 电压控制小信号开关
- 坚固可靠
应用领域
- 小型伺服电机控制
- 功率MOSFET栅极驱动器
- 开关应用