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60N04B
1个N沟道 耐压:40V 电流:60A
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- 描述
- Tphtei o60N04B是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。60N04B符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，具备全面功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 60N04B
- 商品编号
- C7543826
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46552克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.7mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 34.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.639nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 122pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 148pF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 或门应用
- 服务器