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50N04F
1个N沟道 耐压:40V 电流:45A
- 描述
- Tphtei o50N04F是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。50N04F符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，具备完整的功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 50N04F
- 商品编号
- C7543823
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.17004克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 964pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 96pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 109pF |
商品概述
40N05是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 40N05符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，具备完整的功能可靠性认证。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 提供绿色环保器件
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 100%雪崩能量耐量（EAS）保证
- 先进的沟槽MOS技术