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IRLML2402TRPBF-JSM
1个N沟道 耐压:20V 电流:2.5A
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- 描述
- 广泛应用于充电器、电源转换及各类电子设备中，实现高效能、稳定可靠的功率控制。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- IRLML2402TRPBF-JSM
- 商品编号
- C7529468
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@2.5V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | 700mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 120pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ |
商品概述
SI3134KS-TP-ES 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路。标准产品 SI3134KS-TP-ES 为无铅产品。
商品特性
- 20V，VGS = 4.5V 时，RDS(ON) = 220 mΩ（典型值）
- VGS = 2.5V 时，RDS(ON) = 290 mΩ（典型值）
- VGS = 1.8V 时，RDS(ON) = 420 mΩ（典型值）
- 采用沟槽 MOSFET 技术
- 高密度单元设计，实现低 RDS(ON)
- 材料：无卤素
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低漏电流
应用领域
- PWM 应用
- 负载开关
- 便携式/台式 PC 的电源管理
- DC/DC 转换
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- CROWN-Data Cable L=235mm
- A2541HWR-2x4P
- DS1995L-F5+
- WIRE RED COLOR UL3302 AWG20 L-260mm with two side 8mm tin plated
- TMUX6234PWR
- XUDF-012-0109
- XUDF-0208-1420
- XDUF-0241-05B2
- XDWF-1015WT-10P
- XUBF-0336-24B02
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