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AP3C023AMT
NAND P沟道增强型功率MOSFET
- 描述
- AP3C023A 系列采用创新设计和硅工艺技术，以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计人员提供了一种高效的器件，可广泛应用于各种电源应用。PMPAK 5x6 封装专为电压转换应用而设计，采用标准红外回流焊技术，背面带有散热片，以实现良好的热性能
- 品牌名称
- APEC(富鼎)
- 商品型号
- AP3C023AMT
- 商品编号
- C7529470
- 商品封装
- PMPAK-5x6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.213367克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V；30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A；12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23.5mΩ@10V；10.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.57W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V；2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13.5nC；12nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.55nF；1.45nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF；130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 220pF；235pF |
商品概述
NTK3139PT1G-ES是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品NTK3139PT1G-ES为无铅产品。
商品特性
- 驱动要求简单
- 热性能良好
- 开关速度快
- 符合RoHS标准且无卤
应用领域
- PWM应用-负载开关-便携式/台式PC的电源管理-DC/DC转换