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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 51.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.859nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 229pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 先进沟槽MOS技术
- 低栅极电荷
- 100%进行EAS测试
- 有环保型器件可选
应用领域
-台式计算机电源管理-DC/DC转换器