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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 118A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.6mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.458nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 先进沟槽 MOS 技术
- 超低栅极电荷
- 出色的 CdV/dt 效应抑制能力
- 100% 保证抗雪崩能力
- 提供环保型器件
应用领域
-电机控制-DC/DC 转换器-同步整流应用
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