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AP4501AGEM
NAND P沟道增强型功率MOSFET
- 描述
- 先进的功率MOSFET提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。SO-8封装广泛适用于所有商业-工业表面贴装应用，并且适合于诸如DC/DC转换器等低压应用。
- 品牌名称
- APEC(富鼎)
- 商品型号
- AP4501AGEM
- 商品编号
- C7529471
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.235267克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V；30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A；4.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V；20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V；3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.5nC；7nC | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF；800pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF；80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 105pF；100pF |
商品特性
- 先进沟槽 MOSFET 技术
- 可靠耐用
- 有环保器件可选
应用领域
- 硬开关和高速电路
- 开关电源中的同步整流
- 电信和工业领域的 DC/DC 转换