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AP2321GN
P沟道增强型功率MOSFET
- 描述
- 采用创新设计和硅工艺技术，实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。为设计人员提供了一种高效的器件，可用于广泛的电源应用。sOT-23s 封装广泛适用于商业-工业表面贴装应用，适合低压应用，如 DC/DC 转换器。
- 品牌名称
- APEC(富鼎)
- 商品型号
- AP2321GN
- 商品编号
- C7529472
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.037033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ@4.5V,2A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@3A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 经过100%非钳位感性负载（UIS）测试
应用领域
- 负载开关