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RS30N30K

N沟道MOSFET

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描述
特性：快速开关速度。 100% 雪崩测试。 改善的 dv/dt 能力。应用：负载开关。 PWM 应用
品牌名称
REASUNOS(瑞森半导体)
商品型号
RS30N30K
商品编号
C7529488
商品封装
PDFN-8(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.108533克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))5.8mΩ@10V,15A
耗散功率(Pd)17W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)23.6nC@15V
输入电容(Ciss)1.015nF
反向传输电容(Crss)164pF@15V
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)201pF

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