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RS30N30K
N沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：快速开关速度。 100% 雪崩测试。 改善的 dv/dt 能力。应用：负载开关。 PWM 应用
- 品牌名称
- REASUNOS(瑞森半导体)
- 商品型号
- RS30N30K
- 商品编号
- C7529488
- 商品封装
- PDFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.108533克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 17W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23.6nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.015nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 164pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 201pF |
商品概述
ES3139KZ是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品ES3139KZ为无铅产品。
商品特性
- 快速开关速度
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
-负载开关-PWM应用-电源管理
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