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8N80L-TF1-T
1个N沟道 耐压:800V 电流:8A
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- 描述
- N沟道,800V,8A,1.45Ω@10V
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- 8N80L-TF1-T
- 商品编号
- C84865
- 商品封装
- TO-220F1
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.78克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.18Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.05nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF@25V | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 135pF |
商品概述
这款指定 2.5V 的 N 沟道 MOSFET 采用先进的 PowerTrench 工艺制造，该工艺经过特别优化，可在最大限度降低导通电阻的同时，保持较低的栅极电荷，以实现卓越的开关性能。与更大的 SO - 8 和 TSSOP - 8 封装相比，这些器件在极小的占位面积内实现了出色的功率耗散。
商品特性
- 栅源电压 (VGS) = 4.5 V、漏极电流 (ID) = 6.2 A 时，最大漏源导通电阻 (rDS(on)) = 24 mΩ
- 栅源电压 (VGS) = 2.5 V、漏极电流 (ID) = 5.2 A 时，最大漏源导通电阻 (rDS(on)) = 32 mΩ
- 开关速度快
- 栅极电荷低（典型值 8 nC）
- 高性能沟槽技术，实现极低的漏源导通电阻 (rDS(on))
- SuperSOT - 6 封装：占位面积小（比标准 SO - 8 小 72%）；厚度薄（1 mm）
- 人体模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 保护等级典型值 > 2 kV
- 采用绿色封装材料制造
- 无卤
- 符合 RoHS 标准
应用领域
-DC-DC 转换-负载开关-电池保护