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UT3N06G-AE3-R实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

UT3N06G-AE3-R

1个N沟道 耐压:60V 电流:3A

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描述
N沟道,60V,3A,90mΩ@10V
品牌名称
UTC(友顺)
商品型号
UT3N06G-AE3-R
商品编号
C84910
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.036克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)3A
导通电阻(RDS(on))90mΩ@10V,3A
耗散功率(Pd)350mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)6nC@4.5V
输入电容(Ciss)490pF
反向传输电容(Crss)40pF
类型N沟道
输出电容(Coss)55pF

商品概述

UTC UT3N06是一款N沟道功率MOSFET,具有极低的导通电阻。它效率高,性价比出色,通常可应用于商业和工业领域。

商品特性

  • 驱动要求简单

数据手册PDF