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UR5512L-SO8-R
线性集成电路，二路地址总线终端调节器
- 描述
- 2A DDR BUS总线终端稳压器
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- UR5512L-SO8-R
- 商品编号
- C84919
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 线性稳压器(LDO) | |
| 输出类型 | 可调 | |
| 工作电压 | 5.5V | |
| 输出电压 | 850mV~1.75V | |
| 输出电流 | 2A | |
| 电源纹波抑制比(PSRR) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 静态电流(Iq) | - | |
| 特性 | 带使能；软启动；过流保护；热关断 | |
| 工作温度 | 0℃~+125℃ | |
| 输出极性 | - | |
| 输出通道数 | 1 |
商品概述
UTC UR5512是一款线性稳压器，可为DDR SDRAM总线终端应用提供高达2A的双向驱动和灌电流能力。输出端接电压会跟踪施加在VREF引脚的参考电压。连接到VIN、GND和VREF引脚的电阻分压器用于向VREF引脚提供参考电压。 UTC UR5512包含一个高速运算放大器，可对线路/负载瞬变提供出色的响应。低电平有效关断（VREF）引脚提供挂起到内存（STR）功能。其他特性包括限流保护、片上热关断保护。 UTC UR5512是专为DDR SDRAM总线终端应用设计的线性稳压器。输出端Vour能够在将输出电压调节到20mV偏移范围内的同时，提供或吸收高达2A峰值的电流。UTC UR5512在防止直通的同时，对负载调节有出色的响应。具备低电平有效关断机制和故障保护功能。UTC UR5512有多种封装形式，以满足不同的功耗和表面贴装应用需求。 输出电压会跟踪施加在VREF引脚的参考电压。两个内部NPN传输晶体管作为缓冲输出，通过从VIN引脚汲取电流或向GND引脚灌电流来调节输出电压。Vour引脚采用内部开尔文检测方案，以改善不同负载电流下的负载调节性能。由于UTC UR5512对负载瞬变具有出色的响应，因此可以使用较少的电容。 内部限流传感器用于监控最大输出电流，以防止因过载或短路情况而损坏。提高VIN或VcNTL的输入电压会获得更高的限流点。 VREF引脚的另一个功能是作为关断控制输入，可用于挂起到内存功能。向VREF引脚施加并保持低于0.15V的电压会关断稳压器的输出。使用外部NPN晶体管或N沟道MOSFET来拉低VREF引脚电压；同时施加“高”信号来导通晶体管。在关断状态下，两个传输晶体管关断，输出Vour呈三态；不提供或吸收电流。释放VREF引脚时，通过电阻分压器的电流对电容Css充电，以启动软启动周期。 如果结温超过热关断温度（TJ = +150°C），则该器件将进入关断状态。热传感器会关断两个传输晶体管，使器件冷却。结温降低40°C后，稳压器再次开始调节；在持续热过载条件下会产生脉冲输出。 VIN和VcNTL的上电顺序没有要求。请注意，当没有VcNTL电压时，不要向Vour施加电压。这是因为Vour到VIN和Vour到VcNTL之间的内部寄生二极管会正向偏置。 参考电压由VIN和GND引脚之间的电阻分压器设定。建议使用小于5kΩ的电阻以保持输出电压的精度。为提高性能，可以使用外部旁路电容，将其放置在靠近VREF引脚的位置以降低噪声。可以使用陶瓷电容，且电容值应大于0.1μF。不要在该参考输入引脚上添加任何额外负载。
商品特性
- DDR-I和DDR-II终端电压应用
- 驱动和吸收电流高达2A
- 低输出电压偏移（在±2A时偏差在20mV以内）
- 通过外部电阻调节输出电压
- 挂起到内存（STR）功能
- 限流保护
- 热保护
- 性价比高且易于使用