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STM32F410RBT6实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

STM32F410RBT6

支持BAM的STM32动态效率MCU,带DSP和FPU的高性能ARM Cortex-M4 MCU,具有128 KB Flash、100 MHz CPU和ART加速器

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性:动态效率线,带eBAM(增强型批量采集模式)。 电源电压:1.7 V至3.6 V。 温度范围:-40°C至85/105/125°C。 内核:ARM 32位Cortex-M4 CPU带FPU,自适应实时加速器(ART Accelerator),允许从闪存零等待状态执行,频率高达100 MHz,有内存保护单元,125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持DSP指令。 闪存:高达128 Kbytes。 OTP内存:512 bytes。 SRAM:32 Kbytes。 时钟、复位和电源管理:1.7 V至3.6 V应用电源和I/O
商品型号
STM32F410RBT6
商品编号
C84937
商品封装
LQFP-64(10x10)​
包装方式
托盘
商品毛重
1.913克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录单片机(MCU/MPU/SOC)
CPU内核ARM Cortex-M4
CPU最大主频100MHz
CPU位数32 Bit
程序存储容量128KB
程序存储器类型FLASH
RAM容量32KB
属性参数值
EEPROM容量-
I/O数量50
ADC(位数)12bit
DAC(位数)12bit
振荡器类型内置
工作电压1.7V~3.6V
工作温度-40℃~+85℃

商品特性

  • 动态效率线与eBAM(增强型批量采集模式) - 1.7 V至3.6 V电源 - -40 ℃至85/105/125 ℃温度范围
  • 核心:ARM 32位Cortex-M4 CPU带FPU,自适应实时加速器(ART Accelerator),允许从Flash存储器执行零等待状态,频率高达100 MHz,内存保护单元,125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),以及DSP指令
  • 存储器 - 最高128 Kbytes的Flash存储器 - 512 bytes的OTP存储器 - 32 Kbytes的SRAM
  • 时钟、复位和电源管理 - 1.7 V至3.6 V应用电源和I/O - 上电复位(POR)、掉电复位(PDR)、电源电压检测(PVD)和欠压复位(BOR) - 4至26 MHz晶体振荡器 - 内部16 MHz工厂校准RC - 用于RTC的32 kHz振荡器带校准 - 内部32 kHz RC带校准
  • 功耗 - 运行:89 μA/MHz(外设关闭) - 停止(Flash在停止模式下,快速唤醒时间):典型40 μA @ 25 ℃;最大49 μA @ 25 ℃ - 停止(Flash在深度掉电模式下,慢速唤醒时间):最低6 μA @ 25 ℃;最大14 μA @ 25 ℃ - 待机:2.4 μA @ 25 ℃ / 1.7 V无RTC;12 μA @ 85 ℃ @ 1.7 V - 用于RTC的VBAT电源:1 μA @ 25 ℃
  • 1个12位、2.4 MSPS ADC:最多16通道
  • 1个12位D/A转换器
  • 通用DMA:16流DMA控制器带FIFO和突发支持
  • 最多9个定时器 - 一个低功耗定时器(在停止模式下可用)
  • 一个16位高级电机控制定时器
  • 三个16位通用定时器
  • 一个32位定时器,最高100 MHz,最多四个IC/OC/PwM或脉冲计数器和正交(增量)编码器输入
  • 两个看门狗定时器(独立窗口)
  • SysTick定时器
  • 调试模式 - 串行线调试(SwD)和JTAG接口
  • Cortex-M4嵌入式跟踪宏单元
  • 最多50个带中断能力的I/O端口 - 最多45个快速I/O,最高100 MHz - 最多49个5 V耐受I/O
  • 最多9个通信接口
  • 最多3个I2C接口(SMBus/PMBus),包括1个1 MHz I2C Fast-mode
  • 最多3个USART(2x12.5 Mbit/s,1x6.25 Mbit/s),ISO 7816接口,LIN,IrDA,调制解调器控制
  • 最多3个SPI/I2S(最高50 Mbit/s SPI或I2S音频协议)
  • 真随机数生成器
  • CRC计算单元
  • 96位唯一ID
  • RTC:亚秒精度,硬件日历
  • 所有封装均为ECOPACK2

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