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UTM2054G(Z0)-AB3-R
1个N沟道 耐压:20V 电流:5A
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- 描述
- N沟道,20V,5A,35mΩ@10V
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- UTM2054G(Z0)-AB3-R
- 商品编号
- C84904
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.144克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.47W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 450pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品概述
该器件采用先进的MOSFET技术，在保持低导通电阻的同时，具有低栅极电荷的特点。 该器件针对开关应用进行了优化，可提高DC/DC转换器的整体效率，并允许在更高的开关频率下工作。
商品特性
- RDS(ON) = 35 m Ω(VGS = 10 V时)
- RDS(ON) = 45 m Ω(VGS = 4.5 V时)
- RDS(ON) = 110 m Ω(VGS = 2.5 V时)
- 超低栅极电荷(典型值11.5 nC)
- 低反向传输电容(CRSS = 典型值60 pF)
- 快速开关能力
- 规定了雪崩能量
- 改善了dv/dt能力,具有高耐用性