TF2123G-E3-AQ3-R
1个N沟道
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- 描述
- UTC TF2123使用先进的沟槽技术,提供出色的Rds(on),低栅极电荷和低栅极电压下的运行。该器件适用于电容器麦克风应用。
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- TF2123G-E3-AQ3-R
- 商品编号
- C84891
- 商品封装
- SOT-723
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.011克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| FET类型 | 1个N沟道 | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | - | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 100mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 漏源电流(Idss) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 5pF@2V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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