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UTM6016G-SO8-R
1个N沟道 耐压:60V 电流:8A
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- 描述
- N沟道,60V,8A,12mΩ@10V
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- UTM6016G-SO8-R
- 商品编号
- C84901
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V,8A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 5.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 160nC@10V | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
UTC UTM6016是一款N沟道MOSFET，它采用UTC的先进技术，为客户提供最小导通电阻、高开关速度和低栅极电荷。 UTC UTM6016适用于网络DC-DC电源系统和LCD/LED背光等应用。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 8 A条件下，RDS(ON) < 12 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 6 A条件下，RDS(ON) < 15 mΩ
- 低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 高开关速度
应用领域
- 网络DC-DC电源系统-LCD/LED背光