- 引脚图
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19N10L-TM3-T
1个N沟道 耐压:100V 电流:15.6A
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- 描述
- N沟道,100V,15.6A,100mΩ@10V
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- 19N10L-TM3-T
- 商品编号
- C84860
- 商品封装
- TO-251(IPAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.596克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15.6A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
商品概述
这款100V N沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET)采用平面条形DMOS技术制造,该技术经过专门优化,适用于雪崩和换向模式,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受高能量脉冲。它们适用于低电压应用,如音频放大器、高效开关式DC/DC转换器和直流电机控制。
商品特性
- 在VGS = 10V、ID = 7.8A时,RDS(ON) < 0.1Ω
- 快速开关能力
- 规定雪崩能量
- 改善dv/dt能力,高耐用性
应用领域
- 音频放大器
- 高效开关式DC/DC转换器
- 直流电机控制
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