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UTT30N06G
30A,60V N沟道功率MOSFET
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- 描述
- 是一种低压功率MOSFET，旨在具有更好的特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和出色的雪崩特性。通常用于电源的汽车应用、高效直流到直流转换器和电池供电产品。
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- UTT30N06G
- 商品编号
- C7509612
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.02克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@4.5V；22mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.23nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 92pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
AGM30P12D将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。 该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 15 A条件下,RDS(ON) ≤ 22 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 15 A条件下,RDS(ON) ≤ 30 mΩ
- 快速开关能力
- 规定雪崩能量
- 改善的dv/dt能力
应用领域
-汽车电源应用-高效DC-DC转换器-电池供电产品
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