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AGM7N65D
1个N沟道 耐压:650V 电流:7A
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- 描述
- AGM7N65D将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM7N65D
- 商品编号
- C7509632
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.378克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 97W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 891pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 87pF |
商品概述
采用超小型DFN1110D - 3（SOT8015）无引脚表面贴装器件（SMD）塑料封装且侧边可焊的100 mA带电阻NPN晶体管（RET）系列。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低RDS(ON),以最大程度降低传导损耗
- 低栅极电荷,可实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS测试
应用领域
- 电子镇流器
- 电子变压器
- 开关模式电源