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AGMH12H05H
1个N沟道 耐压:120V 电流:125A
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- 描述
- AGMH12H05H将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGMH12H05H
- 商品编号
- C7509635
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.759克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 125A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 208W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 61nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 1.046nF |
商品概述
采用LFPAK88封装的N沟道增强型MOSFET，工作温度可达175°C。属于恩智浦（Nexperia）用于热插拔和软启动的专用MOSFET（ASFET）系列。PSMN2R3 - 100SSE在高可靠性铜夹片LFPAK88封装中实现了极低的导通电阻（RDSon）和增强的安全工作区性能。 PSMN2R3 - 100SSE与最新的“热插拔”控制器相匹配，具备足够的鲁棒性，可承受开启时的大量浪涌电流；低导通电阻可将I²R损耗降至最低，并在完全导通时实现最佳效率。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低 RDS(ON),可最大程度降低传导损耗
- 低栅极电荷,实现快速开关
- 低热阻
- 100% 雪崩测试
- 100% DVDS 测试
应用领域
-MB/VGA 内核电压-开关电源二次同步整流器-负载点应用-无刷直流电机驱动器