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AGM18N50F
1个N沟道 耐压:500V 电流:18A
- 描述
- AGM18N50F将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM18N50F
- 商品编号
- C7509633
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.975克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 280mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 39W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.415nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 219pF |
商品概述
UTC UTT30N06是一款低压功率MOSFET，具备更优特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和出色的雪崩特性。该功率MOSFET通常用于汽车电源应用、高效DC - DC转换器和电池供电产品。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低RDS(ON),可最大限度降低传导损耗
- 低栅极电荷,可实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS测试
应用领域
-电子镇流器-电子变压器-开关模式电源