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AGM30P12D
1个P沟道 耐压:30V 电流:35A
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- 描述
- AGM30P12D将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM30P12D
- 商品编号
- C7509630
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.377克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V,15A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
优惠活动
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