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BSS84-VB
1个P沟道 耐压:60V
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于低功率开关电源、电源管理IC、便携式电子设备中的电池管理模块、传感器节点、医疗器械以及便携式医疗设备等领域SOT23；P—Channel沟道,-60V；-0.5A；RDS(ON)=3000mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- BSS84-VB
- 商品编号
- C7463554
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041633克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 240mW | |
| 输入电容(Ciss) | 23pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟道型场效应管(TrenchFET)功率 MOSFET
- 高端开关
- 低导通电阻:3 Ω
- 低阈值:-2 V(典型值)
- 快速开关速度:20 ns(典型值)
- 低输入电容:20 pF(典型值)
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
- P 沟道 MOSFET